Дефекты бывают полезными… для развития электроники!

Российские ученые из МФТИ и ОИВТ РАН вместе с коллегами из Тайваня и Индонезии изучили структурно-чувствительные свойства феррита никеля первопринципными квантово-механическими методами. Установлено, что тип поляронной проводимости может меняться из-за наличия точечных дефектов в структуре соединения. Результаты исследований, опубликованных в журнале Computational Materials Science, будут полезны для разработки быстродействующих и энергонезависимых электронных устройств, в частности, микросхем резистивной памяти.

О работе ученых подробно рассказывает журнал «За науку».

ОИВТ РАН является базовой организацией кафедры физики высоких плотностей энергии ЛФИ МФТИ. Прийти на кафедру и начать учиться и заниматься научной работой можно как в бакалавриате, так и после поступления в магистратуру или аспирантуру ЛФИ МФТИ.