Интерфейс со своим критическим током

Физики из Центра перспективных методов мезофизики и нанотехнологий МФТИ с коллегами обнаружили, что в месте соприкосновения топологического изолятора BiSbTe₂Se с ниобиевыми контактами возникает еще один сверхпроводящий участок со своим критическим током. Сделанное открытие, с одной стороны, накладывает ограничения на такого рода девайсы, а с другой — проясняет структуру интерфейса «сверхпроводник / топологический изолятор».

О работе ученых рассказывает журнал «За науку».

Результаты работы опубликованы в журнале Advanced Functional Materials.

Напомним, что в мае этого года на базе Центра перспективных методов мезофизики и нанотехнологий МФТИ и ВНИИА им. Н. Л. Духова в ЛФИ была создана новая кафедра фундаментальной и прикладной физики микро- и наноструктур и открыта магистерская программа.